SprávyHardwareSamsung Galaxy S26 Edge sa objavil v Geekbench: Odhaľuje výkon brutálneho čipu...

Samsung Galaxy S26 Edge sa objavil v Geekbench: Odhaľuje výkon brutálneho čipu Snapdragon 8 Elite 2

Prehrať článok
Pripravené na čítanie INFO

Samsung Galaxy S26 Edge sa objavil v Geekbench s novým čipom Snapdragon 8 Elite 2. Pozrite si prvé výsledky a odhalený brutálny výkon.

Kým posledné úniky informácií o pripravovanom smartfóne Samsung Galaxy S26 Edge sa sústredili najmä na kapacitu batérie, najnovší záznam v databáze populárneho benchmarku Geekbench potvrdzuje kľúčovú informáciu o jeho výkone. Zdá sa, že ďalšie tenké a ľahké zariadenie od Samsungu bude poháňané nadchádzajúcou čipovou sadou od Qualcommu, Snapdragon 8 Elite 2.

Zariadenie sa v databáze objavilo pod identifikátorom SM-S947U, čo s najväčšou pravdepodobnosťou označuje americký variant telefónu. Vďaka tomuto úniku máme k dispozícii vôbec prvé benchmarky pre ďalší vlajkový čip od Qualcommu. Je dôležité pripomenúť, že ide o predprodukčný kus, takže finálne skóre pri komerčne dostupnej verzii bude pravdepodobne ešte vyššie.

Surový výkon a nová architektúra

Nadchádzajúci vlajkový čipset bude disponovať osemjadrovým procesorom s nasledujúcou konfiguráciou (samozrejme Qualcomm môže s rovnakým menom predstaviť aj niekoľko verzií čipu, ktoré sa môžu v jadrách odlišovať):

  • 2x hlavné jadrá taktované na frekvencii 4.74 GHz
  • 6x výkonnostné jadrá bežiace na frekvencii 3.63 GHz

Tieto frekvencie sú citeľne vyššie v porovnaní s predchádzajúcou generáciou Snapdragon 8 Elite, ktorá mala jadrá taktované na 4.32 GHz, respektíve 3.53 GHz.

Správa z minulého mesiaca naznačovala, že Qualcomm testuje Snapdragon 8 Elite 2 v dvoch verziách – štandardnej s taktom do 4.6 GHz a špeciálnej verzii „pre Galaxy“ s taktom až 4.74 GHz. Tento únik tak potvrdzuje existenciu výkonnejšej verzie pre smartfóny od Samsungu.

Výsledky a medzigeneračný nárast

V teste výkonu dosiahol Galaxy S26 Edge skóre 3 393 bodov v teste na jedno jadro a 11 515 bodov v teste na viac jadier.

Pre porovnanie, jeho predchodca Galaxy S25 Edge dosiahol v rovnakom teste 3 131 a 9 391 bodov. Nový model tak predstavuje medzigeneračný nárast o 8 % pri jednojadrovom výkone a pôsobivých 22 % pri viacjadrovom výkone.

Spoločnosť Qualcomm už potvrdila, že oficiálne predstavenie čipovej sady Snapdragon 8 Elite 2 sa uskutoční budúci mesiac. S prvými odhalenými číslami je zrejmé, že sa môžeme tešiť na ďalší výrazný posun vo výkone vlajkových lodí.

Zdroj: Zdroj 1

Vidíte v článku chybu alebo nepresnosť? Dajte nám vedieť.
Nahlásiť chybu

TechArena Premium

Podporte nezávislú žurnalistiku

  • Web úplne bez reklám
  • Odomknuté Premium články
  • PDF verzie návodov
  • AI Asistent TechBot
už od 2,50 € / mesiac
Chcem Premium
Diskusia
Online

Neviete si rady s mobilom, PC alebo výberom elektroniky? Opýtajte sa našej komunity.

Aký mobil do 300€?
Problém s aktualizáciou...
Položiť Otázku

ZANECHAŤ ODPOVEĎ

Pridajte svoj komentár!
Zadajte svoje meno tu
Captcha verification failed!
Používateľské skóre captcha zlyhalo. prosím kontaktuj nás!
Váš profil
System Online
ID: GUEST
Identita neznáma
Prihláste sa pre prístup k funkciám.

VÝBER PODĽA TÉMY